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SK 海力士冲刺先进製程,20 奈米级 DRAM 最快 7 月量产


2020-06-08


SK 海力士冲刺先进製程,20 奈米级 DRAM 最快 7 月量产

SK 海力士 20 日举行股东会,社长朴星昱(Park Sung-wook)宣誓,20 奈米级 DRAM 最快可能在今年 7 月迈入量产,将可在高阶产品赶上三星与美光等竞争者。

海力士目前最先进的製程为 25 与 29 奈米,而三星已在去年第四季抢先迈入 20 奈米製程领域,且预估今年下半年,半数 PC 用记忆体都会以 20 奈米製程打造。

据科技网站 kitguru.net 报导,20 奈米製程在 300mm 晶圆上塞进的晶粒数量较 25 奈米多三成,可降低每单位 IC 生产成本,并提高利润空间。随着 8GB DDR4 记忆体时代来临,20 奈米製程被认为是记忆体厂决胜的关键。

除了三星之外,美光去年第四季也已开始试生产 20 奈米记忆体,预计今年进入量产,但初期产量将相当有限,预估 2015 年底,每月会有 8 万片晶圆转进 20 奈米製程。



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